[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法

摘要

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜及其制备方法，以及一种QLED器件及其制备方法。该量子点薄膜的制备方法包括如下步骤：提供量子点预制薄膜和含有置换配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体，所述置换配体的结构通式为：X₁‑R‑X₂；其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团，R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物；将所述量子点预制薄膜与所述含有置换配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。本发明用带共轭基团的置换配体进行配体置换不会出现溶液沉降的问题，而且提高了量子点薄膜中的载流子传输，可相应地提高器件的发光性能。

主权项

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供量子点预制薄膜和含有置换配体的溶液，所述量子点预制薄膜中的量子点含有初始表面配体，所述置换配体的结构通式为：X₁‑R‑X₂；其中，X₁和X₂为可与量子点表面结合的官能团，R为具有共轭基团的烃基或烃基衍生物；将所述量子点预制薄膜与所述含有置换配体的溶液进行液相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。