[发明专利]量子点转印方法有效
| 申请号： | 201711347097.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109927431B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B41M1/12 | 分类号： | B41M1/12 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法，包括如下步骤：提供印章，所述印章的印面凸起部设置有形变嵌入体，所述形变嵌入体由含有形状记忆聚合物的材料制成的初始嵌入体经形变处理得到；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述初始薄膜转印到设置有所述形变嵌入体的印章的印面上，形成量子点图案化膜层；将转印有所述量子点图案化薄层的印章与目标基底接触，且将所述形变嵌入体恢复成所述初始嵌入体，使所述量子点图案化膜层转印于目标基底上。本发明减少了最终由于恢复应变不均匀造成的部分图案残留，提高了量子点图案化膜层转印的完整性，减少了重复利用印章时所需要的外加应力。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 点转印 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括如下步骤：提供印章，所述印章的印面凸起部设置有形变嵌入体，所述形变嵌入体由含有形状记忆聚合物的材料制成的初始嵌入体经形变处理得到；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述初始薄膜转印到设置有所述形变嵌入体的印章的印面上，形成量子点图案化膜层；将转印有所述量子点图案化薄层的印章与目标基底接触，且将所述形变嵌入体恢复成所述初始嵌入体，使所述量子点图案化膜层转印于目标基底上；其中，所述初始嵌入体包括第一面板，且所述第一面板在靠近印章印面的一面设有中心台以及多个间隔设置且以所述中心台为中心而层层围绕所述中心台的围壁；所述形变嵌入体包括第二面板，且所述第二面板在靠近印章印面的一面为平面。
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