[发明专利]量子点转印方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法，包括如下步骤：提供印章，所述印章的印面凸起部设置有形变嵌入体，所述形变嵌入体由含有形状记忆聚合物的材料制成的初始嵌入体经形变处理得到；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述初始薄膜转印到设置有所述形变嵌入体的印章的印面上，形成量子点图案化膜层；将转印有所述量子点图案化薄层的印章与目标基底接触，且将所述形变嵌入体恢复成所述初始嵌入体，使所述量子点图案化膜层转印于目标基底上。本发明减少了最终由于恢复应变不均匀造成的部分图案残留，提高了量子点图案化膜层转印的完整性，减少了重复利用印章时所需要的外加应力。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法。

背景技术

量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、稳定性高等诸多优点，因此，量子点发光被视为下一代显示技术的有力竞争者。在制备量子点薄膜时，旋涂法是最快捷简便、且成膜质量好的溶液加工方式，但一般只能用于制备单色发光器件，而在制造全彩发光器件时，必须制备出图案化量子点薄膜。目前，图案化量子点的方法主要有喷墨打印、转印等方式。

常规的转印过程通常是利用粘弹性体印章作为转移载体，利用动力学控制实现转印。转印过程具体包括两步，第一步是将量子点图案从供体基底转印到印章，第二步是将量子点图案从印章转印到目标基底。通常第二步的转印过程完全依赖于量子点薄膜与印章的粘附能小于量子点薄膜与供体基底的粘附能，然而由于两种界面的粘附功相差不大，接触面积相同(等同于图案大小)，最后得到的图案经常会有缺损、不完整。因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点转印方法，旨在解决现有量子点转印得到的量子点图案经常有缺损、不完整的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供一种量子点转印方法，包括如下步骤：

提供印章，所述印章的印面凸起部设置有形变嵌入体，所述形变嵌入体由含有形状记忆聚合物的材料制成的初始嵌入体经形变处理得到；

提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述初始薄膜转印到设置有所述形变嵌入体的印章的印面上，形成量子点图案化膜层；

将转印有所述量子点图案化薄层的印章与目标基底接触，且将所述形变嵌入体恢复成所述初始嵌入体，使所述量子点图案化膜层转印于目标基底上；

其中，所述初始嵌入体包括第一面板，且所述第一面板在靠近印章印面的一面设有中心台以及多个间隔设置且以所述中心台为中心而层层围绕所述中心台的围壁；

所述形变嵌入体包括第二面板，且所述第二面板在靠近印章印面的一面为平面。

本发明提供的量子点转印方法中，使用了一种含有形状记忆聚合物的材料制成的嵌入体置入在印章的印面凸起部内，该嵌入体根据形状记忆聚合物属性具有两种形态：初始嵌入体态和形变嵌入体，初始嵌入体有一面设有中心台以及多个间隔设置且以所述中心台为中心而层层围绕所述中心台的围壁，初始嵌入体经形变处理后设有围壁的一面变成平面即得到形变初始嵌入体；最初将形变嵌入体置入在印章内，等转印得到量子点图案化薄层、并与目标基底接触后，再将形变嵌入体恢复成初始嵌入体，在这个恢复过程中，形变嵌入体会慢慢恢复成很多规则的围壁，与此同时，印章也跟着发生弹性形变，如此，印章印面逐渐与转印的量子点图案化薄层的接触面积逐渐减少，而有规则的围壁使印章形变区域应变一致，这样提高了印章表面形变均匀性，减少了最终由于恢复应变不均匀造成的部分图案残留，提高了量子点图案化膜层转印的完整性，减少了重复利用印章时所需要的外加应力。

附图说明

图1为本发明实施例中初始嵌入体的结构示意图；

图2为本发明实施例中初始嵌入体形变处理得到形变嵌入体的过程示意图；