[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制造方法以及显示装置。该制造方法包括在衬底上形成第一半导体图案和第一绝缘层；形成彼此隔离的第一栅极图案和第二栅极图案；形成第二绝缘层；形成第二半导体图案；形成第一金属图案以及分别与第二半导体图案搭接的第二金属图案和第三金属图案；形成第三绝缘层；形成第一过孔、第二过孔、第一源漏极、第二源漏极，其中，第一源漏极分别通过第一过孔与第一半导体图案连接，第二源漏极分别通过第二过孔与第二半导体图案连接。本发明的制造方法可实现一次构图工艺制作过孔后氢氟酸清洗的正常进行，避免了氢氟酸对氧化物半导体层的影响，同时简化了制作流程，进而降低生产成本。

主权项

一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，其特征在于，所述制造方法包括：在所述第一区域形成第一半导体图案；形成至少覆盖所述第一半导体图案的第一绝缘层；通过一次成膜工艺，分别在所述第一区域和所述第二区域形成彼此隔离的第一栅极图案和第二栅极图案；形成覆盖所述第一栅极图案和所述第二栅极图案的第二绝缘层；在所述第二区域形成第二半导体图案；通过一次成膜工艺，在所述第一区域形成第一金属图案，在所述第二区域形成分别与所述第二半导体图案搭接的第二金属图案和第三金属图案；形成覆盖所述第二半导体图案、所述第一金属图案、所述第二金属图案和所述第三金属图案的第三绝缘层；在所述第一区域形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第一过孔，在所述第二区域形成贯穿所述第三绝缘层的第二过孔；以及形成第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体图案连接，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接。