[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上同时形成像素区和逻辑区的各MOS晶体管的栅介质层和多晶硅栅；步骤二、依次形成第一氧化层和第二氮化层；步骤三、以第一氧化层为刻蚀终点对第二氮化层进行全面刻蚀在逻辑区的各晶硅栅的侧面形成侧墙；第一氧化层保留在像素区并作为像素区的保护层。本发明能在保证形成防止在像素区中引入导致白色像素的污染的保护层的条件下，进一步的节省光罩，从而能降低工艺成本。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上同时形成像素区的像素单元电路的各MOS晶体管以及逻辑区的CMOS电路的各MOS晶体管的栅介质层和多晶硅栅；步骤二、依次形成第一氧化层和第二氮化层，所述第一氧化层覆盖在各所述多晶硅栅的顶部表面和侧面以及各所述多晶硅栅的外部表面上；所述第二氮化层叠加赵所述第一氧化层表面；步骤三、以所述第一氧化层为刻蚀终点对所述第二氮化层进行全面刻蚀在所述逻辑区的各所述多晶硅栅的侧面形成刻蚀后剩余的所述第二氮化层组成的侧墙；在所述侧墙形成后，所述第一氧化层保留在所述像素区并作为所述像素区的保护层，防止在所述像素区中引入导致白色像素的污染。