[发明专利]一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711341671.4 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108217729B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;李国旺;夏芝芬;孙小华;孙盼盼 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼垂直生长于基底上。其具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃下快速干燥，得到前驱膜；中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极。利用500~900℃高温，让Ni源、Co源、小分子等添加剂挥发的同时，让Mo元素与S元素结合生成二硫化钼，利用蒸发流垂直于基底这一特点帮助二硫化钼塑性成垂直于基底的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 基底 垂直生长 阵列电极 前驱膜 前躯 制备 添加剂 垂直 纳米片状结构 电极材料 快速干燥 随炉冷却 烧结 氯化钼 小分子 电极 挥发 乙醇 旋涂 液滴 蒸发 取出 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料的制备方法，其特征在于，具体制备方法如下：（1）在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前驱 液，所述的添加剂包括氯化镍、氯化铜、双氰胺中的任意一种；（2）将上述前驱 液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃下快速干燥，得到前驱膜；（3）将步骤（2）中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极，所制备的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼的片状结构有20%‑90%垂直生长于基底上。
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