[发明专利]一种多孔中空碳纳米片制备及应用在审

专利信息
申请号: 201711336318.7 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN109956461A 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 王素力;戚甫来;孙公权 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01B32/15 分类号: C01B32/15;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及储能用多孔碳电极材料,具体涉及一种多孔中空碳纳米片制备及应用,该制备方法包括如下步骤:A、制备碳前体;B、制备多孔中空碳纳米片。制备的碳纳米片为多孔中空结构,孔隙率可调(2.0‑6.0cm3/g),厚度为20‑300nm。所述中空碳纳米片含有N元素,同时还含有异质元素P、S、B中的一种或两种以上。所述中空碳纳米片中N元素的含量以及所述异质元素P、S、B中的一种或两种以上的总的质量含量分别为2%‑7%。与现有技术相比,本发明具有如下优点:制备方法简单,原料来源广泛,价格低廉,工艺条件易控制,操作成本低,极具工业化前景。本发明的多孔中空碳纳米片比表面积大,孔隙发达且可调节,在电化学电容器及锂硫电池电极材料领域有着广泛地应用。
搜索关键词: 制备 多孔中空 碳纳米片 中空碳纳米 异质元素 多孔碳电极材料 应用 电化学电容器 电极材料 工艺条件 锂硫电池 可调节 孔隙率 碳前体 储能 可调
【主权项】:
1.一种多孔中空碳纳米片,其特征在于:所述的碳纳米片为多孔中空结构,其中具有50‑100nm直径的大孔,大孔所占孔容40%‑80%,具有2‑50nm直径的介孔,介孔所占孔容10%‑50%,具有小于2nm直径的小孔,小孔所占孔容10%‑30%;所述中空碳纳米片含有N元素,同时还含有异质元素P、S、B中的一种或两种以上。
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