[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201711332296.7 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108109918B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;李秀莹;刘宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供一形成有MOS结构的基底，所述MOS结构中的栅极介质层形成在所述基底上；在所述MOS结构的上方形成一电极导电层，在形成所述电极导电层的过程中会产生X射线，所述X射线穿透至所述栅极介质层上；对所述基底中的所述导电层和所述栅极介质层执行热退火工艺，以修复所述MOS结构中的所述栅极介质层的缺陷，从而改善MOS结构的阈值电压漂移问题。以及，本发明所提供的半导体器件的形成方法还将原有的热退火的工艺与新加入的热退火工艺进行了调整整合，避免了退火总量过大导致互连金属线受热膨胀冲出电极导电层的情况，具有更好的工艺可行性，提高了MOS器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供一形成有MOS结构的基底，所述MOS结构中的栅极介质层形成在所述基底上；在所述MOS结构的上方形成一电极导电层，在形成所述电极导电层的过程中会产生X射线，所述X射线穿透至所述栅极介质层上；以及，对所述基底中的所述导电层和所述栅极介质层执行热退火工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711332296.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：场效应晶体管的隔离结构及其制作方法
- 下一篇：三维场效应晶体管及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
