[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一形成有MOS结构的基底，所述MOS结构中的栅极介质层形成在所述基底上；

在所述MOS结构的上方形成一电极导电层，在形成所述电极导电层的过程中会产生X射线，所述X射线穿透至所述栅极介质层上；以及，

在形成所述MOS结构之后，还包括在所述基底上形成一互连金属线，所述互连金属线与MOS结构电性连接；以及，在形成所述电极导电层之后，所述电极导电层与所述互连金属线电性连接；

在形成所述互连金属线之后，并在形成所述电极导电层之前，还包括：

在所述基底上形成一钝化层，所述钝化层覆盖所述MOS结构和所述互连金属线，以及在所述钝化层中还形成有一通孔，所述通孔暴露出至少部分所述互连金属线；在形成所述电极导电层之后，所述电极导电层通过所述通孔与所述互连金属线电性连接；

在所述互连金属线形成之后，以及在所述钝化层形成之前，对所述基底的所述互连金属线执行第一次热退火工艺；

在形成钝化层之后不对所述钝化层进行第二次热退火工艺，直接形成所述电极导电层，并在形成所述电极导电层之后，同时对所述基底中的所述栅极介质层、所述钝化层和所述电极导电层执行热退火工艺。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，利用电子束蒸发工艺形成所述导电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电极导电层的形成方法包括：

在所述基底上形成一图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶中开设有一开口；

利用电子束蒸发工艺在所述基底上形成一导电材料层，所述导电材料层覆盖所述图形化的光刻胶，并填充所述开口；

利用剥离工艺去除所述图形化的光刻胶，以同时去除所述导电材料层中位于所述图形化的光刻胶上的部分，并保留所述导电材料层中对应在所述开口中的部分，以构成所述电极导电层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述互连金属线的材质包括铝或铜。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一次热退火工艺的退火温度为400℃~500℃，退火时间为20min ~40min。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电极导电层的材质包括银或金。