[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201711331673.5 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109216457A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杨哲维;林浩雄;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;林浩雄 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括从基材突出的半导体鳍、在半导体鳍上方的栅电极、在半导体鳍与栅电极之间的栅极绝缘层、设置在半导体鳍的相对侧面上的源极及漏极区域、在源极及漏极区域之间的区域中形成的第一应力物。第一应力物是包括于渐变深度形成的多个渐变部分的渐变的应变应力物。第一应力物经配置以产生渐变的压缩应力或渐变的拉伸应力之一。 | ||
| 搜索关键词： | 渐变 半导体鳍 半导体元件 漏极区域 栅电极 源极 栅极绝缘层 拉伸应力 相对侧面 压缩应力 基材 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一半导体鳍，从一基材突出；一栅电极，设置在该半导体鳍上方；一栅极绝缘层，设置在该半导体鳍与该栅电极之间；源极及漏极区域，设置在该半导体鳍的相对侧面上；以及一第一应力物，在该基材在所述源极与漏极区域之间的一区域中或在该半导体鳍在所述源极与漏极区域之间的一区域中形成，其中：该第一应力物是包括于多个渐变的深度形成的多个渐变的部分的一渐变的应变应力物，并且该第一应力物经配置以产生一渐变的压缩应力或一渐变的拉伸应力之一。
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