[发明专利]一种高功率半导体激光器芯片焊装方法在审

专利信息
申请号: 201711330632.4 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN107809055A 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 薄报学;高欣;乔忠良;张晶;李辉 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 *** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种高功率半导体激光器芯片焊装方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效避免激光器芯片焊装空洞的产生,使高功率半导体激光器的工作性能受到限制。本发明基于焊料毛细作用的半导体激光器芯片焊装方法,填充缝隙的焊料纯度高,焊料与焊接面的浸润性好,避免了由于焊料氧化、污染造成的焊料层空洞的产生,从而可明显改善激光器芯片的散热特性,提高激光器的工作性能。
搜索关键词: 一种 功率 半导体激光器 芯片 方法
【主权项】:
一种高功率半导体激光器芯片焊装方法,其特征在于,惰性气氛或真空环境下加热时,金属焊料熔化后通过在镀金的芯片焊装面和次热沉焊装面之间的毛细作用扩展进缝隙,并填充整个缝隙,从而避免焊装空洞的产生,改善了高功率半导体激光器芯片的工作特性。
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