[发明专利]场效应晶体管的气隙间隙壁

摘要

本发明涉及场效应晶体管的气隙间隙壁，揭示场效应晶体管中的气隙间隙壁的结构以及在场效应晶体管中形成气隙间隙壁的方法。在半导体本体的顶部表面上形成栅极结构。邻近该栅极结构的垂直侧壁形成介电间隙壁。在该半导体本体的该顶部表面上形成半导体层。该半导体层相对该栅极结构的该垂直侧壁布置，以使该第一介电间隙壁的第一部分位于该半导体层与该栅极结构的该垂直侧壁之间的空间。移除位于该半导体层的顶部表面上方的该介电间隙壁的第二部分。在移除该介电间隙壁的该第二部分之处的空间中形成气隙间隙壁。

主权项

1.一种方法，包括：在半导体本体的顶部表面上形成栅极结构；邻近该栅极结构的垂直侧壁形成第一介电间隙壁；在该半导体本体的该顶部表面上形成相对该栅极结构的该垂直侧壁布置的半导体层，以使该第一介电间隙壁的第一部分水平位于该半导体层与该栅极结构的该垂直侧壁之间；移除位于该半导体层的顶部表面上方的该第一介电间隙壁的第二部分；以及在移除该第一介电间隙壁的该第二部分之处的空间中形成气隙间隙壁。