[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711327268.6 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN108134005A 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 陈亮;王江波 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/58
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省金华市义*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。芯片包括芯片本体、反射层和出光调控层,反射层设置在芯片本体的第一表面上,出光调控层设置在芯片本体的第二表面上,第二表面为与第一表面相反的表面,第一表面和第二表面中的至少一个为非镜面;出光调控层由光学薄膜组成,出光调控层对第一入射光线的反射率小于或等于设定值,且出光调控层对第二入射光线的反射率大于设定值;第一入射光线和第二入射光线为芯片本体发出并射入出光调控层的光线,第一入射光线射入出光调控层的入射角度在设定范围内,第二入射光线射入出光调控层的入射角在所述设定范围外。本发明有利于LED在背光源上的广泛应用。
搜索关键词: 光调控层 入射光线 芯片本体 第二表面 第一表面 射入 发光二极管芯片 反射层 反射率 入射角 制备 半导体技术领域 光学薄膜 背光源 非镜面 芯片 应用
【主权项】:
一种发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括芯片本体和反射层,所述反射层设置在所述芯片本体的第一表面上,其特征在于,所述发光二极管芯片还包括出光调控层,所述出光调控层设置在所述芯片本体的第二表面上,所述芯片本体的第二表面为与所述芯片本体的第一表面相反的表面,所述芯片本体的第一表面和第二表面中的至少一个为非镜面;所述出光调控层由光学薄膜组成,所述出光调控层对第一入射光线的反射率小于或等于设定值,且所述出光调控层对第二入射光线的反射率大于所述设定值;所述第一入射光线和所述第二入射光线为所述芯片本体发出并射入所述出光调控层的光线,所述第一入射光线射入所述出光调控层的入射角度在设定范围内,所述第二入射光线射入所述出光调控层的入射角度在所述设定范围外。
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