[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711306913.6 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904231B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；在该半导体衬底上的半导体鳍片；以及在该半导体鳍片上的栅极结构，该栅极结构包括：在该半导体鳍片表面的一部分上的栅极电介质层，以及在该栅极电介质层上的栅极；该栅极包括：在该栅极电介质层之上的金属栅极层和在该金属栅极层至少一侧的侧面上的半导体层；该半导体层包含掺杂剂，其中，该掺杂剂的导电类型与该半导体鳍片的导电类型相反。本发明能够改善器件的功函数，从而提高器件工作的电流特性，降低短沟道效应和漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的半导体鳍片；以及在所述半导体鳍片上的栅极结构，所述栅极结构包括：在所述半导体鳍片表面的一部分上的栅极电介质层，以及在所述栅极电介质层上的栅极；所述栅极包括：在所述栅极电介质层之上的金属栅极层和在所述金属栅极层至少一侧的侧面上的半导体层；所述半导体层包含掺杂剂，其中，所述掺杂剂的导电类型与所述半导体鳍片的导电类型相反。
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