[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711304674.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108091697A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张锡明;陈玉仙;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括通道层、源极、漏极、绝缘层和栅极。通道层设置于衬底上。源极和漏极分离设置于通道层上。绝缘层覆盖源极、漏极和通道层。栅极设置于绝缘层上，其中通道层的相对两侧壁分别与源极的远离漏极的侧壁和漏极的远离源极的侧壁切齐。本发明的薄膜晶体管可改善薄膜晶体管于制作过程中的对位精准度，以使薄膜晶体管具有良好的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 通道层 漏极 源极 绝缘层 侧壁 对位精准度 绝缘层覆盖 分离设置 相对两侧 制作过程 衬底 切齐 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：通道层，设置于衬底上；源极和漏极，分离设置于所述通道层上；绝缘层，覆盖所述源极、所述漏极和所述通道层；以及栅极，设置于所述绝缘层上，其中所述通道层的相对两侧壁分别与所述源极的远离所述漏极的侧壁和所述漏极的远离所述源极的侧壁切齐。
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