[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

通道层，设置于衬底上；

源极和漏极，分离设置于所述通道层上；

绝缘层，覆盖所述源极、所述漏极和所述通道层；以及

栅极，设置于所述绝缘层上，

其中所述通道层的相对两侧壁分别与所述源极的远离所述漏极的侧壁和所述漏极的远离所述源极的侧壁切齐。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：

对位标记，设置于所述衬底上且与所述通道层相互分离。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述对位标记包括：

导体层；以及

半导体层，设置于所述衬底和所述导体层之间。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层与所述通道层由同一图案化半导体层所形成。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述导体层与所述源极和所述漏极由同一图案化导体层所形成。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成通道材料层；

在所述通道材料层上覆盖导体材料层，以于所述衬底上形成叠层；

移除部分所述叠层，以形成相互分离的对位标记和图案化叠层，其中所述图案化叠层包括通道层和形成于所述通道层上的导体层；

图案化所述导体层，以形成相互分离的源极和漏极，其中所述源极和所述漏极暴露出部分所述通道层；

在所述源极、所述漏极和所述通道层上覆盖绝缘层；以及

在所述绝缘层上形成栅极。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括：

在所述通道材料层上覆盖所述导体材料层之前，对所述通道材料层进行退火工艺。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其中形成相互分离的所述对位标记和所述图案化叠层的方法包括：

在所述叠层上形成图案化光刻胶层，其中所述图案化光刻胶层暴露部分所述叠层；以及

移除所述图案化光刻胶层所暴露的部分所述叠层，以形成所述对位标记和所述图案化叠层。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中所述图案化光刻胶层具有第一部分和第二部分，且所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，在图案化所述导体层之前，移除所述图案化光刻胶层的所述第二部分，以暴露出部分所述导体层。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其中形成所述图案化光刻胶层的方法包括：

在所述叠层上形成光刻胶层，以半色调掩模对所述光刻胶层进行曝光显影工艺，以形成具有所述第一部分和所述第二部分的图案化光刻胶层。