[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711293317.9 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108231779B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 沈善一;崔升旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/40 | 分类号： | H10B43/40;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括在半导体衬底上的多个单元栅电极。单元栅电极的端部包括在平行于半导体衬底的表面的方向上延伸的台阶状的垫区域。垂直结构在半导体衬底上并穿过所述多个单元栅电极。垂直结构分别包括沟道层。上外围晶体管设置在半导体衬底上。上外围晶体管包括在比所述多个单元栅电极的水平更高的水平处的上外围栅电极、穿过上外围栅电极并电连接到垫区域的主体图案、以及在上外围栅电极与主体图案之间的栅极电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的多个单元栅电极，所述多个单元栅电极一个堆叠在另一个的顶部上并在平行于所述半导体衬底的表面的方向上延伸，所述多个单元栅电极包括在所述多个单元栅电极的端部处以台阶方式布置的垫区域；在所述半导体衬底上的垂直结构，所述垂直结构穿过所述多个单元栅电极，所述垂直结构分别包括沟道层；以及在所述半导体衬底上的上外围晶体管，所述上外围晶体管包括在比所述多个单元栅电极的水平更高的水平处的上外围栅电极、穿过所述上外围栅电极并电连接到所述垫区域的主体图案、以及在所述上外围栅电极与所述主体图案之间的栅极电介质层。
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