[发明专利]用于改善迁移率的具有应力材料的异质接面双极晶体管有效
| 申请号： | 201711291721.2 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400162B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩;瑞纳塔·A·卡米罗-卡斯罗 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于改善迁移率的具有应力材料的异质接面双极晶体管，根据本文中的半导体装置，该装置包括衬底。主动装置形成在该衬底中。该主动装置包括集极区、形成于该集极区上的基极区、及形成于该基极区上的射极区。隔离结构围绕该主动装置而形成在该衬底中。以压缩材料填充的沟槽形成于该衬底中，并且侧向地安置成相邻于该射极区与基极区。该沟槽至少部分地延伸入该基极区内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 迁移率 具有 应力 材料 异质接面 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：衬底；NPN晶体管，形成于该衬底中，该NPN晶体管包含：集极区，基极区，形成于该集极区上，以及射极区，形成于该基极区上；隔离结构，围绕该NPN晶体管而形成于该衬底中，该隔离结构含有介电质；以及沟槽，形成于该衬底中并侧向地安置成相邻于该射极区及基极区、并且至少部分地延伸入该基极区，该沟槽以压缩材料填充。
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