[发明专利]BioFET器件及其制造方法和传感器阵列有效
| 申请号： | 201711281901.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109307701B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 黄睿政;张仪贤;温清华;郑创仁;黄士芬;陈东村;黄毓杰;林璟晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | bioFET器件包括具有第一表面和与第一表面相对、平行的第二表面的半导体衬底以及半导体衬底上的多个bioFET传感器。每个bioFET传感器均包括形成在半导体衬底的第一表面上的栅极以及形成在栅极下面的半导体衬底内和半导体衬底中的源极/漏极(S/D)区域之间的沟道区域。沟道区域包括半导体衬底的第二表面的部分。隔离层设置在半导体衬底的第二表面上。隔离层具有位于多个bioFET传感器的多于一个bioFET传感器的沟道区域上方的开口。界面层设置在开口中的多于一个bioFET传感器的沟道区域上。本发明的实施例涉及BioFET器件的制造方法和传感器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | biofet 器件 及其 制造 方法 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种生物场效应晶体管(bioFET)器件，包括：半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对、平行的第二表面；多个生物场效应晶体管传感器，设置在所述半导体衬底上，每个生物场效应晶体管传感器均包括：栅极，形成在所述半导体衬底的第一表面上；和沟道区域，形成在所述栅极下面的所述半导体衬底内和所述半导体衬底中的源极/漏极(S/D)区域之间，其中，所述沟道区域包括所述半导体衬底的第二表面的部分；隔离层，设置在所述半导体衬底的第二表面上，所述隔离层具有位于所述多个生物场效应晶体管传感器的多于一个生物场效应晶体管传感器的所述沟道区域上方的开口；以及界面层，设置在所述开口中的所述多于一个生物场效应晶体管传感器的所述沟道区域上。
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