[发明专利]氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管在审
| 申请号： | 201711275976.X | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108155224A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 郭艳敏;房玉龙;尹甲运;张志荣;王波;李佳;芦伟立;高楠;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管。氮化镓外延片包括：衬底；p型极化掺杂的隔断层，形成于所述衬底的上表面；氮化镓外延层，形成于所述隔断层的上表面。本发明提供的氮化镓外延片，由于在氮化镓外延层和衬底之间生长一层p型极化掺杂的隔断层，能够抑制衬底表面处的硅向氮化镓外延层扩散，同时补偿硅引入的电子，从而获得高阻氮化镓外延片，提高氮化镓外延片的质量，应用该氮化镓外延片制得的晶体管，能够获得良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓外延片 氮化镓外延层 隔断层 晶体管 衬底 氮化镓基 掺杂的 上表面 极化 半导体技术领域 衬底表面处 高阻 扩散 生长 引入 应用 | ||
【主权项】：
一种氮化镓外延片，其特征在于，包括：衬底；p型极化掺杂的隔断层，形成于所述衬底的上表面；氮化镓外延层，形成于所述隔断层的上表面。
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