[发明专利]场效应晶体管的隔离结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种场效应晶体管的隔离结构及其制作方法，包括：半导体衬底、介质层、金属层、绝缘层、接触窗以及接触电极。半导体衬底中具有场效应晶体管区域以及环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽。介质层形成于环形沟槽侧壁及底部。金属层填充于环形沟槽，其上层部分被去除，以形成环形凹槽。绝缘层填充于环形凹槽，以掩埋金属层。接触窗显露环形沟槽中的金属层。接触电极填充于接触窗并与金属层接触。本发明采用新型的隔离结构，场效应晶体管之间无需传统的浅沟槽隔离结构也能防止各个晶体管之间的漏电，并可有效提高防漏电性能。相比于传统的浅沟槽隔离结构，本发明所占面积大大减小，可有效提高场效应晶体管的集成密度。

主权项

1.一种场效应晶体管的隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中定义出场效应晶体管区域，并于所述半导体衬底中形成环绕所场效应晶体管区域的环形沟槽；2)于所述环形沟槽侧壁及底部形成介质层；3)于所述环形沟槽中填充金属层；4)去除所述金属层的上层部分，以形成环形凹槽；5)于所述环形凹槽中填充绝缘层，以掩埋所述金属层；以及6)去除部分的所述绝缘层以形成接触窗，所述接触窗显露所述环形沟槽中的所述金属层，并于所述接触窗中填充接触电极，以形成场效应晶体管的隔离结构的控制端。