[发明专利]单晶硅片清洗制绒方法

摘要

本发明公开一种单晶硅片清洗制绒方法，该方法依次包括粗抛、预清洗、制绒、后清洗、酸洗、慢提拉以及烘干，其中，粗抛是于预清洗之前使用浓度0.8%—1.2%的KOH溶液对硅片进行初步抛光；后清洗是使用浓度1.2%—2.2%的H2O2和浓度0.5%—0.8%的KOH混合溶液清洗制绒后该硅片表面残留物。本发明适用于单晶硅片清洗制绒工序，有效解决了硅片制绒后添加剂残留问题，并且改善了硅片表面脏污难以去除的情况，提高了制绒的合格率。

主权项

1.一种单晶硅片清洗制绒方法，适用于一硅片，该方法依次包括预清洗、制绒、酸洗、慢提拉以及烘干，其特征在于，该方法还包括如下工序：粗抛，于预清洗之前对该硅片进行粗抛光；后清洗，清洗经制绒后该硅片表面残留物。