[发明专利]单晶硅片清洗制绒方法

说明书

本发明公开一种单晶硅片清洗制绒方法，该方法依次包括粗抛、预清洗、制绒、后清洗、酸洗、慢提拉以及烘干，其中，粗抛是于预清洗之前使用浓度0.8%—1.2%的KOH溶液对硅片进行初步抛光；后清洗是使用浓度1.2%—2.2%的H2O2和浓度0.5%—0.8%的KOH混合溶液清洗制绒后该硅片表面残留物。本发明适用于单晶硅片清洗制绒工序，有效解决了硅片制绒后添加剂残留问题，并且改善了硅片表面脏污难以去除的情况，提高了制绒的合格率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池清洗制绒领域，尤其涉及清洗制绒脏污和硅片表面残留物的单晶硅片清洗制绒方法。

背景技术

太阳能电池清洗制绒工艺是太阳能电池制造工艺中至关重要的一步，对成品电池片的电性能有着重大的影响。脏污片的产生是清洗制绒工序经常会出现的问题，其流传下去会造成外观不合格电池片以及EL不合格品增多。制绒后添加剂的残留会导致电池片效率偏低，EL发暗，严重影响效率及良率。

现有技术中，脏污片通常进行返工处理，但是，这种处理方法存在两个问题：第一，经二次制绒后电池片偏薄，易碎片，造成产线的碎片率增加；第二，二次制绒后绒面效果较一次制绒效果差，会造成成品电池片效率下降以及不良率增加。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种优化的单晶硅片清洗制绒方法。

本发明解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是：一种单晶硅片清洗制绒方法，依次包括粗抛、预清洗、制绒、后清洗、酸洗、慢提拉以及烘干，其中，粗抛是于预清洗之前对该硅片进行粗抛光；后清洗是清洗制绒后该硅片表面残留物。

特别地，粗抛时使用浓度0.8%—1.2%的KOH溶液对该硅片进行初步抛光。

特别地，后清洗时使用浓度1.2%—2.2%的H2O2和浓度0.5%—0.8%的KOH混合溶液对该硅片进行清洗。

相较于现有技术，本发明的单晶硅片清洗制绒方法，改进硅片制绒的流程，加入粗抛和后清洗流程，分别对硅片进行粗抛光和清洗制绒后硅片表面残留物，粗抛改善了制绒前硅片脏污问题，后清洗解决了制绒后硅片添加剂表面残留问题，因而从源头上优化单晶硅片清洗制绒工序，有效解决了硅片制绒后添加剂残留问题，并且改善了硅片表面脏污难以去除的情况，提高了制绒的合格率。

附图说明

图1为本发明单晶硅片清洗制绒方法的流程图。

具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。

请参阅图1，为本发明单晶硅片清洗制绒方法的流程图，如图所示，该方法为：

1）粗抛；

2）预清洗；

3）水洗；

4）制绒；

5）水洗；

6）后清洗；

7）水洗；

8）酸洗

9）水洗；

10）慢提拉；

11）烘干。