[发明专利]ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置有效

专利信息
申请号: 201711271063.0 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN107895942B 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 王玲;盖翠丽;张保侠;徐攀;林奕呈 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张润
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置,所述电路包括:静电起始端和静电释放端;连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件,所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端,所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管,其中,所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极;负压提供端,所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连,所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区。由此,通过调节双栅薄膜晶体管的第二栅极电压,改变薄膜晶体管的阈值电压,进而有效拓展ESD保护组件的平坦区,降低漏电流,抑制显示装置的信号电压丢失。
搜索关键词: esd 保护 电路 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种静电释放ESD保护电路,其特征在于,包括:静电起始端和静电释放端;连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件,所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端,所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管,其中,所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极;负压提供端,所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连,所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区,其中,所述至少一个双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述静电起始端电连接。
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