[发明专利]ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明公开了一种ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置，所述电路包括：静电起始端和静电释放端；连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件，所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，其中，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；负压提供端，所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连，所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区。由此，通过调节双栅薄膜晶体管的第二栅极电压，改变薄膜晶体管的阈值电压，进而有效拓展ESD保护组件的平坦区，降低漏电流，抑制显示装置的信号电压丢失。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种ESD保护电路、一种阵列基板、一种显示装置以及一种ESD保护方法。

背景技术

相关技术中ESD(Electro-Static discharge，静电释放)保护结构的平坦区较窄，造成在显示装置的工作电压范围漏电流较大，导致数据信号和栅极信号的电压被泄露。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的第一个目的在于提出一种ESD保护电路，能够有效拓展平坦区，降低漏电流。

本发明的第二个目的在于提出一种阵列基板。本发明的第三个目的在于提出一种显示装置以及本发明的第四个目的在于提出一种ESD保护方法。

为达到上述目的，本发明第一方面实施例提出的一种ESD保护电路，包括：静电起始端和静电释放端；连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件，所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，其中，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；负压提供端，所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连，所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区。

根据本发明实施例提出的ESD保护电路，ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，负压提供端向至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展ESD保护组件的平坦区。由此，通过调节双栅薄膜晶体管的第二栅极的电压，改变薄膜晶体管的阈值电压，进而有效拓展ESD保护组件的平坦区，降低漏电流，抑制显示装置的信号电压丢失。

根据本发明的一个实施例，所述ESD保护组件包括第一双栅薄膜晶体管，所述第一双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第一栅极通过第一电容与所述第一双栅薄膜晶体管的第一端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第一栅极还通过第二电容与所述第一双栅薄膜晶体管的第二端相连。

根据本发明的一个实施例，所述ESD保护组件包括第二双栅薄膜晶体管和第三双栅薄膜晶体管，其中，所述第二双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第二双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第二双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述第二双栅薄膜晶体管的第一端相连；所述第三双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第三双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第三双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述第三双栅薄膜晶体管的第二端相连。

根据本发明的一个实施例，所述静电起始端与栅极线或数据线相连。

根据本发明的一个实施例，所述静电释放端与公共电极引出线所在的金属层相连。

根据本发明的一个实施例，所述第一栅极为顶栅，所述第二栅极为底栅。

为达到上述目的，本发明第二方面实施例提出的一种阵列基板，包括多条栅极线、多条数据线和至少一个所述的ESD保护电路。