[发明专利]ESD保护电路及方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201711271063.0 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN107895942B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王玲;盖翠丽;张保侠;徐攀;林奕呈 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | esd 保护 电路 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种静电释放ESD保护电路，其特征在于，包括：
静电起始端和静电释放端；
连接在所述静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件，所述ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，其中，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；
负压提供端，所述负压提供端与所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极相连，所述负压提供端用于向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压以拓展所述ESD保护组件的平坦区，其中，所述至少一个双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述静电起始端电连接。
2.根据权利要求1所述的静电释放ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护组件包括第一双栅薄膜晶体管，所述第一双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第一栅极通过第一电容与所述第一双栅薄膜晶体管的第一端相连，所述第一双栅薄膜晶体管的第一栅极还通过第二电容与所述第一双栅薄膜晶体管的第二端相连。
3.根据权利要求1所述的静电释放ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护组件包括为第二双栅薄膜晶体管和第三双栅薄膜晶体管，其中，
所述第二双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第二双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第二双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述第二双栅薄膜晶体管的第一端相连；
所述第三双栅薄膜晶体管的第一端与所述静电起始端相连，所述第三双栅薄膜晶体管的第二端与所述静电释放端相连，所述第三双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述第三双栅薄膜晶体管的第二端相连。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的静电释放ESD保护电路，其特征在于，所述静电起始端与栅极线或数据线相连。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的静电释放ESD保护电路，其特征在于，所述静电释放端与公共电极引出线所在的金属层相连。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的静电释放ESD保护电路，其特征在于，所述第一栅极为顶栅，所述第二栅极为底栅。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括多条栅极线、多条数据线和至少一个如权利要求1-6中任一项所述的ESD保护电路。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述ESD保护电路为至少两个时，其中一部分所述ESD保护电路的静电起始端分别与所述多条栅极线相连，另一部分所述ESD保护电路的静电起始端分别与所述多条数据线相连。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的阵列基板。
10.一种静电释放ESD保护方法，其特征在于，包括以下步骤：
通过连接在静电起始端和静电释放端之间的ESD保护组件将所述静电起始端产生的静电传导到所述静电释放端，其中，所述ESD保护组件包括至少一个双栅薄膜晶体管，所述双栅薄膜晶体管具有第一栅极和第二栅极；
通过负压提供端向所述至少一个双栅薄膜晶体管的第二栅极提供负压，以拓展所述ESD保护组件的平坦区，其中，所述至少一个双栅薄膜晶体管的第一栅极与所述静电起始端电连接。
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