[发明专利]一种判定晶体管键合弹坑的方法在审
| 申请号： | 201711248944.0 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107978538A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈长贵 | 申请（专利权）人： | 泰州海天电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京源古知识产权代理事务所(普通合伙)32300 | 代理人： | 马晓辉 |
| 地址： | 225300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种判定晶体管键合弹坑的方法，检测步骤为1)配氢氧化钠溶液，放入烧杯，加热；2)将键合好的样品完全浸入氢氧化钠溶液中；3)键合铝丝和芯片表面的铝完全反应掉后，取出，用酒精清洗干净后，在显微镜中观察；4)观察清洗后的芯片，在键合点位置是否有损伤，如果有损伤，说明当前键合工序键合是有问题的，需要调整，如无损伤，说明当前键合工序键合是有问题的。本发明通过化学方法对样品进行腐蚀解剖，去除芯片表面的铝层，观察铝层下面的硅层状态来判断键合质量的好坏，检测步骤简单，检测效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判定 晶体管 弹坑 方法 | ||
【主权项】：
一种判定晶体管键合弹坑的方法，其特征在于，检测步骤为：1)配氢氧化钠溶液，放入烧杯，加热；2)将键合好的样品完全浸入氢氧化钠溶液中；3)键合铝丝和芯片表面的铝完全反应掉后，取出，用酒精清洗干净后，在显微镜中观察；4)观察清洗后的芯片，在键合点位置是否有损伤，如果有损伤，说明当前键合工序键合是有问题的，需要调整，如无损伤，说明当前键合工序键合是有问题的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
