[发明专利]一种判定晶体管键合弹坑的方法

说明书

技术领域

本发明属于晶体管领域，尤其涉及一种判定晶体管键合弹坑的方法。

背景技术

在晶体管后道封装中，键合工序是其重要工序之一。其使用铜丝或铝丝通过超声将芯片和引线框架的管脚连接在一起。键合丝和芯片键合区结合是通过键合丝和芯片上的铝层的结合。但如果键合参数不当，键合时，透过芯片铝层作用到下面的硅层，芯片就会受到损伤，造成失效。

键合丝和芯片铝层结合后，无法检查键合点下面的情况，无法知晓是否芯片硅层受到损伤。只能到最后测试时剔除。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种判定晶体管键合弹坑的方法，其检测步骤简单，检测效果好。

一种判定晶体管键合弹坑的方法，检测步骤为：

1)配氢氧化钠溶液，放入烧杯，加热；

2)将键合好的样品完全浸入氢氧化钠溶液中；

3)键合铝丝和芯片表面的铝完全反应掉后，取出，用酒精清洗干净后，在显微镜中观察；

4)观察清洗后的芯片，在键合点位置是否有损伤，如果有损伤，说明当前键合工序键合是有问题的，需要调整，如无损伤，说明当前键合工序键合是有问题的。

进一步地，步骤1)所述氢氧化钠溶液质量浓度为8％-16％。

进一步地，步骤1)所述加热温度为70-90℃。

进一步地，步骤3)根据步骤2)所述样品来确定反应时间，通过反应足够长的时间至烧杯底部不产生沉淀即表明铝完全反应。

本发明通过化学方法对样品进行腐蚀解剖，去除芯片表面的铝层，观察铝层下面的硅层状态来判断键合质量的好坏，检测步骤简单，检测效果好。

具体实施方式

以下结合具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。

实施例1：

本发明一种判定晶体管键合弹坑的方法，检测步骤为：

1)配质量分数为10％氢氧化钠溶液，放入烧杯，加热到70℃；

2)将键合好的样品完全浸入氢氧化钠溶液中；

3)键合铝丝和芯片表面的铝完全反应掉后，取出，用酒精清洗干净后，在显微镜中观察；

4)观察清洗后的芯片，在键合点位置是否有损伤，通过观测，键合点位置有损伤，说明当前键合工序键合是有问题的，需要调整。

实施例2：

本发明一种判定晶体管键合弹坑的方法，检测步骤为：

1)配质量分数为10％氢氧化钠溶液，放入烧杯，加热到90℃；

2)将键合好的样品完全浸入氢氧化钠溶液中；

3)键合铝丝和芯片表面的铝完全反应掉后，取出，用酒精清洗干净后，在显微镜中观察；

4)观察清洗后的芯片，在键合点位置是否有损伤，通过观测，键合点位置无损伤，说明当前键合工序没有问题。

本发明通过化学方法对样品进行腐蚀解剖，去除芯片表面的铝层，观察铝层下面的硅层状态来判断键合质量的好坏，检测步骤简单，检测效果好。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应该指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下的改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。