[发明专利]一种固相合成高纯偏硅酸钙的方法在审
| 申请号： | 201711247672.2 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107879351A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李蔚;程玉晶;陈成 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/24 | 分类号： | C01B33/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种固相合成高纯偏硅酸钙粉体的方法，其基本工艺是以分析纯碳酸钙和硅酸为原料，按化学配比称量、球磨混合后，放置于马弗炉中升温至1000℃温度煅烧2h,随炉自然冷却，即得到纯度较高的β‑偏硅酸钙粉体。本发明获得β‑偏硅酸钙粉体的温度为1000℃，比普通的固相合成法低200‑300℃。所获偏硅酸钙粉体的纯度比较高。另外，本发明操作方法简单，生产流程短，所需要的工艺设备也很简单，可大量节约时间成本，而且没有废水排放，非常适合规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相合 高纯 硅酸 方法 | ||
【主权项】：
一种固相合成高纯偏硅酸钙粉体的方法，其基本工艺是：以碳酸钙和硅酸为原料，二者混合后在一定温度下煅烧，即可获得纯度较高的β‑偏硅酸钙粉体。
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