[发明专利]基于压应变Ge材料NMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711243384.X | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107919288A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/165 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于压应变Ge材料NMOS器件及其制备方法，该制备方法包括(a)选取单晶Si衬底；(b)在所述Si衬底表面制备Si1‑xGex晶化层；(c)在所述Si1‑xGex晶化层表面生长P型应变Ge沟道层；(d)在所述Ge沟道层表面制备NMOS的栅极；(e)在所述Ge沟道层进行离子注入以制备NMOS源区和漏区；(f)制备NMOS电极以完成所述NMOS器件的制备；本发明通过基于激光再晶化工艺制备高Ge组分的Si1‑xGex材料，进而在其上制备的P型应变Ge沟道层相对于传统Ge材料载流子迁移率有了很大提升，在减小NMOS器件尺寸的同时提高了NMOS器件的电流驱动与频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 应变 ge 材料 nmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于压应变Ge材料NMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取单晶Si衬底；(b)在所述Si衬底表面制备Si1‑xGex晶化层；(c)在所述Si1‑xGex晶化层表面生长P型应变Ge沟道层；(d)在所述P型应变Ge沟道层表面制备NMOS的栅极；(e)在所述P型应变Ge沟道层进行离子注入以制备NMOS源区和漏区；(f)制备NMOS电极以完成所述NMOS器件的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
