[发明专利]导通孔的铜填充工艺有效
| 申请号： | 201711242898.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895710B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 潘杰;吕术亮;马亮;章星;李远;周烽;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及导通孔的铜填充工艺，包括以下步骤：分多步对导通孔的内部进行铜的结构区域物理气相沉积，形成铜种子层，每步使用的沉积偏压不同，其中首次物理气相沉积的偏压范围为200W以下，沉积厚度为2～5nm。本发明采用物理气相沉积铜填充工艺替代化学气相沉积钨填充工艺。在不降低孔结构填充能力的情况下，能够提高铜薄膜质量以及降低电阻率，开创性地将电镀(ECP)技术应用到小口径且深宽比为5以上的导通孔填充工艺中，简化了工艺制程，降低了工艺生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 导通孔 填充 工艺 | ||
【主权项】：
导通孔的铜填充工艺，其特征在于，包括以下步骤：分多步对导通孔的内部进行铜的结构区域物理气相沉积，形成铜种子层，每步使用的沉积偏压不同，其中首次物理气相沉积的偏压范围为200W以下，沉积的铜种子层的厚度为2～5nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
