[发明专利]导通孔的铜填充工艺有效
| 申请号： | 201711242898.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895710B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 潘杰;吕术亮;马亮;章星;李远;周烽;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导通孔 填充 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.导通孔的铜填充工艺，其特征在于，包括以下步骤：
分多步对导通孔的内部进行铜的结构区域物理气相沉积，形成铜种子层，每步使用的沉积偏压不同，其中首次物理气相沉积的偏压范围为200W以下，沉积的铜种子层的厚度为2～5nm；
形成铜种子层的步骤还包括首次沉积步骤后的继续沉积形成初步种子层的步骤，继续沉积的偏压为600～800W；
形成铜种子层的步骤还包括继续沉积步骤后的再次沉积步骤，再次沉积步骤的沉积偏压为800～1000W。
2.如权利要求1所述的铜填充工艺，其特征在于，
所述铜填充工艺还包括位于形成铜种子层步骤之后的对导通孔所在的载体层表面进行铜的非结构区域物理气相沉积步骤，沉积的偏压为200W以下。
3.如权利要求1所述的铜填充工艺，其特征在于，
导通孔的口径大于等于100nm小于等于120nm，导通孔的深宽比大于等于5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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