[发明专利]基于电流复用技术的混频器

摘要

本发明涉及基于电流复用技术的混频器，包括跨导级电路、开关级电路和负载级电路；跨导级电路、开关级电路和负载级电路依次连接；跨导级电路采用电流复用结构和源简并电感结构；负载级电路跨导级电路用于接入射频电压信号，将射频电压信号转化为射频电流信号，对射频电流信号进行反复使用；开关级电路用于接入本振信号和射频电流信号，根据本振信号控制其设置的多个开关管轮流导通，利用多个开关管轮流导通对射频电流信号进行切换调制，生成中频电流信号传输至负载级电路；负载级电路用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出。相对现有技术，本发明结构简单、转换增益高、线性度好、噪声低、功耗低、端口隔离度好。

主权项

基于电流复用技术的混频器，其特征在于：包括跨导级电路(1)、开关级电路(2)和负载级电路(3)；所述跨导级电路(1)、开关级电路(2)和负载级电路(3)依次连接；所述跨导级电路(1)采用电流复用结构和源简并电感结构；所述跨导级电路(1)用于接入射频电压信号，将射频电压信号转化为射频电流信号，对射频电流信号进行反复使用；所述开关级电路(2)用于接入本振信号和射频电流信号，根据本振信号控制其设置的多个开关管轮流导通，利用多个开关管轮流导通对射频电流信号进行切换调制，生成中频电流信号传输至负载级电路(3)；所述负载级电路(3)用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出；所述跨导级电路(1)包括PMOS管M1、PMOS管M3，NMOS管M2、NMOS管M4，电容C1～电容C5和电感L1～电感L4；所述PMOS管M1的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，其源级与电源电压VDD连接；NMOS管M2的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，其漏极与PMOS管M1的漏极连接，其源级经电容C1与其栅极连接；所述电容C2的一端与NMOS管M2的漏极连接，另一端与NMOS管M2的源极连接；所述电感L2的一端与NMOS管M2的源极连接，另一端经电感L4接地；所述电容C5与电感L4并联；所述PMOS管M3的栅极与射频电压信号的负极端RF‑连接，其源级与电源电压VDD连接；NMOS管M4的栅极与射频电压信号的正极端RF‑连接，其漏极与PMOS管M3的漏极连接，其源级经电容C3与其栅极连接；所述电容C4的一端与NMOS管M4的漏极连接，另一端与NMOS管M4的源极连接；电感L3的一端与NMOS管M4的源极连接，另一端分别与电感L2、电感L4和电容C5的连接点连接；所述电感L1的一端与NMOS管M2的漏极连接，另一端NMOS管M4的漏极连接。