[发明专利]一种增强型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201711223203.7 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107968123B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;王元刚;宋旭波;谭鑫;周幸叶;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张二群 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种增强型场效应晶体管。该增强型场效应晶体管包括：衬底；沟道层，形成于所述衬底的上表面；源电极和漏电极，分别形成于所述沟道层的两侧；栅电极，形成于所述沟道层的上表面；所述沟道层中栅电极对应区域的之外的区域设有无载流子区；所述无载流子区不存在载流子，所述沟道层的其余部分存在载流子。本发明提供的增强型FET，无载流子区不是设置在于栅电极下，而是设置在沟道层中栅电极对应区域的之外的区域，在形成无载流子区时，不会对栅电极的下表面造成损伤，并且，可以通过调控无载流子区的宽度和数量调控器件的阈值电压，器件开关速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种增强型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；沟道层，形成于所述衬底的上表面；源电极和漏电极，分别形成于所述沟道层的上表面，且位于所述沟道层的相对两侧；栅电极，形成于所述沟道层的上表面，且位于所述源电极和所述漏电极之间；所述沟道层中栅电极对应区域之外的区域设有无载流子区；所述无载流子区不存在载流子，所述沟道层的其余部分存在载流子。
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