[发明专利]一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法在审
| 申请号： | 201711209923.8 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183142A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 韩修训;赵雲;董琛;李佳佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 周瑞华 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法，在传统的DMSO基CZTS前驱体溶液中加入与其体积比为1:2~1:50的去离子水得到优化的CZTS前驱体溶液；然后将优化的CZTS前驱体溶液涂至基底上，经后硒化处理形成CZTSSe薄膜，最后组装太阳能电池器件。本发明通过改良前驱体溶液改善了薄膜的质量，有效提高了CZTSSe薄膜太阳能电池的开路电压、短路电流，填充因子及光电转换效率。本发明所提供的方法可控性强，工艺简单，成本低廉，可为发展低成本、高效率的CZTS薄膜太阳能电池技术提供新的思路和途径，具有规模化工业生产的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜太阳能电池 前驱体溶液 铜锌锡硫硒 薄膜 太阳能电池器件 光电转换效率 短路电流 开路电压 去离子水 填充因子 硒化处理 传统的 低成本 高效率 规模化 可控性 体积比 基底 优化 组装 改良 | ||
【主权项】：
1.一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法，其特征在于在传统的DMSO基CZTS前驱体溶液中加入去离子水得到优化的CZTS前驱体溶液；然后将优化的CZTS前驱体溶液涂至基底上，经后硒化处理形成CZTSSe薄膜，最后组装太阳能电池器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所，未经中国科学院兰州化学物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711209923.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
