[发明专利]整流器以及使用了该整流器的交流发电机有效

专利信息
申请号: 201711209759.0 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108123623B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 石丸哲也;森睦宏;栗田信一 申请(专利权)人: 株式会社日立功率半导体
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 孙蕾
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及整流器以及使用了该整流器的交流发电机。即使高电压施加于同步整流MOSFET的漏极也不引起高电压施加所致的特性变动而进行正常的整流动作。整流器具备进行整流的整流MOSFET和控制电路,该控制电路包括将整流MOSFET的漏极连接于非反转输入端子IN+并将源极连接于反转输入端子IN-的比较器,用比较器的输出控制整流MOSFET的导通及截止。控制电路具备:切断MOSFET,在整流MOSFET的漏极与比较器的非反转输入端子IN+之间进行切断;切断控制电路,在整流MOSFET的漏极的电压为第1规定电压以上时使切断MOSFET截止,将整流MOSFET的漏极与比较器的非反转输入端子IN+间电切断。
搜索关键词: 整流器 以及 使用 交流 发电机
【主权项】:
一种整流器,具备:进行整流的MOSFET;控制电路,输入所述MOSFET的一对主端子间的电压,根据所输入的所述一对主端子间的电压来驱动所述MOSFET的导通及截止;以及电源,对所述控制电路供给电源电压,所述整流器的特征在于,具有保持电路,该保持电路在所述控制电路的内部的触发电压为第1电压以上时使所述MOSFET的栅极升压,在所述控制电路的内部的触发电压为比所述第1电压小的第2电压以上的期间,不管所述一对主端子间的电压大小的变化如何都保持该升压的状态。
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