[发明专利]整流器以及使用了该整流器的交流发电机有效
申请号: | 201711209759.0 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108123623B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 石丸哲也;森睦宏;栗田信一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立功率半导体 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 孙蕾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整流器 以及 使用 交流 发电机 | ||
1.一种整流器,具备:
进行整流的MOSFET;
控制电路,输入所述MOSFET的一对主端子间的电压,根据所输入的所述一对主端子间的电压来驱动所述MOSFET的导通及截止;以及
电源,对所述控制电路供给电源电压,
所述整流器的特征在于,
具有保持电路,该保持电路的输出与所述MOSFET的栅极连接,该保持电路在所述控制电路的内部的触发电压为第1电压以上时使所述MOSFET的栅极升压,在所述控制电路的内部的触发电压为比所述第1电压小的第2电压以上的期间,不管所述一对主端子间的电压大小的变化如何都保持该升压的状态。
2.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,
所述电源为电容器。
3.根据权利要求2所述的整流器,其特征在于,
所述整流器仅具有与所述进行整流的MOSFET的一对主端子连接的一对外部端子。
4.根据权利要求2所述的整流器,其特征在于,
所述触发电压为所述电容器的电压。
5.根据权利要求4所述的整流器,其特征在于,
在所述电容器的电压为比所述第1电压小的第2电压以下时使所述MOSFET的栅极降压。
6.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,
所述控制电路具备齐纳二极管,
通过所述齐纳二极管的驱动来探测所述触发电压为所述第1电压以上这一情况。
7.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,
所述保持电路包括闩锁电路。
8.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,
所述整流器具备与所述进行整流的MOSFET并联地连接的齐纳二极管。
9.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,
所述控制电路具备判定电路,
所述整流器具备切断电路,在所述触发电压为所述第1电压以上时,该切断电路电切断所述电源和所述判定电路。
10.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,
所述控制电路具备栅极驱动电路,
所述整流器具备切断短路电路,在所述触发电压为所述第1电压以上时,该切断短路电路电切断所述电源和所述栅极驱动电路,使所述栅极驱动电路的电源电压端子与所述MOSFET的源极端子短路,
所述触发电压为所述MOSFET的漏极的电压。
11.一种整流器,具备:
进行整流的MOSFET;
控制电路,输入所述MOSFET的一对主端子间的电压,根据所输入的所述一对主端子间的电压来驱动所述MOSFET的导通及截止;以及
电源,对所述控制电路供给电源电压,
所述整流器的特征在于,
所述整流器具有保持电路,该保持电路的输出与所述MOSFET的栅极连接,该保持电路在所述控制电路的内部的触发电压为第1电压以上时使所述MOSFET的栅极升压而使所述MOSFET导通,在所述控制电路的内部的触发电压为比所述第1电压小的第2电压以上的期间,不管所述一对主端子间的电压大小的变化如何都保持该导通的状态。
12.根据权利要求11所述的整流器,其特征在于,
所述电源为电容器。
13.根据权利要求12所述的整流器,其特征在于,
所述整流器仅具有与所述进行整流的MOSFET的一对主端子连接的一对外部端子。
14.根据权利要求12所述的整流器,其特征在于,
所述触发电压为所述电容器的电压。
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