[发明专利]一种基于Slot波导的锗探测器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种基于Slot波导的锗探测器及其制作方法，该锗探测器包括：设置在背衬底上的二氧化硅层，以及，均设置在所述二氧化硅层内的Slot波导层和锗吸收层，且所述锗吸收层设置在所述Slot波导层上；所述锗吸收层的两侧均设有分布式布拉格反射镜DBR，且所述DBR由硅和二氧化硅交替组成；且所述Slot波导层和所述锗吸收层均与电极连接。本发明能够在保证锗探测器响应度的情况下，大大的减小锗探测器的吸收长度，从而提高锗探测器的带宽，降低暗电流。

主权项

1.一种基于Slot波导的锗探测器，其特征在于，所述锗探测器包括：设置在背衬底上的二氧化硅层，以及，均设置在所述二氧化硅层内的Slot波导层和锗吸收层，且所述锗吸收层设置在所述Slot波导层上；所述锗吸收层的两侧均设有分布式布拉格反射镜DBR，且所述DBR由硅和二氧化硅交替组成；且所述Slot波导层和所述锗吸收层均与电极连接；其中，所述Slot波导包括设置在Slot区域两侧的平板型硅波导和脊形硅波导；所述锗吸收层设置在所述平板型硅波导上的靠近所述脊形硅波导的一端；相对应的，所述平板型硅波导上的远离所述脊形硅波导的一端和所述锗吸收层上均与各电极连接；所述脊形硅波导为楔形耦合波导，且所述楔形耦合波导末端设置有所述DBR。