[发明专利]一种改善PERC电池背面界面态的方法及其电池

摘要

本发明公开一种改善PERC电池背面界面态的方法及其电池，涉及太阳能电池技术领域，具体包括以下步骤：1)对硅片进行前期的制绒、扩散、刻蚀和退火工艺；2)在硅片背面使用管式PEVCD的等离子体清洗杂质，并依次沉积Al₂O₃层和SiN_x层。本发明通过在PERC电池的背面Si层上依次沉积Al₂O₃层和SiN_x层，既可以降低电池片背面界面态，提高钝化效果，又可以改善背面制程过程中吸附杂质导致的EL问题，提高电池片的EL良率，从而制备出高效高良率PERC电池。

主权项

1.一种改善PERC电池背面界面态的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1）对硅片进行前期的制绒、扩散、刻蚀和退火工艺；2）利用高频放电使N₂O离化成等离子体溅射清洗硅片背面，所述的N₂O流量为5slm，放电功率为3000‑8000W，脉冲开关比例为1:（2‑3），持续放电时间100s‑500s，并依次沉积Al₂O₃层和SiN_x层；采用管式PECVD制备底层Al₂O₃层时，采用TMA和N₂O的混合气体作为气体源，二者的体积比为1:（10‑20），沉积温度为250‑500℃；采用管式PECVD制备SiN_x层时，采用SiH₄和NH₃的混合气体为气体源，二者的体积比为1:（4‑15），沉积温度为350‑500℃。