[发明专利]一种改善PERC电池背面界面态的方法及其电池

权利要求书

1.一种改善PERC电池背面界面态的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1）对硅片进行前期的制绒、扩散、刻蚀和退火工艺；

2）利用高频放电使N₂O离化成等离子体溅射清洗硅片背面，所述的N₂O流量为5slm，放电功率为3000-8000W，脉冲开关比例为1:（2-3），持续放电时间100s-500s，并依次沉积Al₂O₃层和SiN_x层；

采用管式PECVD制备底层Al₂O₃层时，采用TMA和N₂O的混合气体作为气体源，二者的体积比为1:（10-20），沉积温度为250-500℃；

采用管式PECVD制备SiN_x层时，采用SiH₄和NH₃的混合气体为气体源，二者的体积比为1:（4-15），沉积温度为350-500℃。

2.根据权利要求1所述的一种改善PERC电池背面界面态的方法，其特征在于，所述的SiN_x层不少于一层。

3.根据权利要求2所述的一种改善PERC电池背面界面态的方法，其特征在于，所述的Al₂O₃层和SiNx层相加的总膜厚为100-220nm，折射率为1.7-2.2。

4.根据权利要求2所述的一种改善PERC电池背面界面态的方法，其特征在于，所述Al₂O₃层为底层，Al₂O₃层的膜厚为8-30nm，折射率为1.55-1.7。

5.根据权利要求4所述的一种改善PERC电池背面界面态的方法，其特征在于，所述SiN_x层的膜厚为100-220nm，总折射率为1.7-2.2。

6.一种采用权利要求1-5任一项所述方法制得的PERC电池。