[发明专利]一种碳硅掺杂电子封装材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳硅掺杂电子封装材料的制备方法，所述制备方法通过在导电封装材料加入活性炭负载硅纳米材料，所得产品导电性能优良、柔性好、可塑性强，且具有良好的分散性、相容性和耐热性。

主权项

1.一种碳硅掺杂电子封装材料的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）制备活性炭负载硅纳米材料粉体将装有纳米一氧化硅粉末的小瓷舟水平放置于氧化铝管中间，然后将该管放在高温管式炉中，抽真空在20-50Pa，然后将温度900-1000℃并分别保温60-80min，之后升温到1300-1400℃保温4-6h；之后以10-15℃/min的速率降温到500-600℃并保温30-40min，同时以60sccm鼓入空气到炉腔，自然冷却至室温，得到硅纳米线，备用；将硅烷偶联剂加入到去离子水，并用醋酸调节pH至3.5，在室温下搅拌30-50min，之后加入所述硅纳米线，在85-95℃回流反应15-20h，抽滤、洗涤、干燥，得到偶联后的硅纳米线复合物；将得到的偶联后的硅纳米线复合物、纳米活性炭加入到去离子水，用超声波在45℃、150W的条件下混匀30-50min，室温下静止老化30-40h，用去离子水清洗多次至流出液呈中性，120-150℃烘干15-20h至恒重，再350-400℃焙烧3-5小时，冷却、干燥，制得活性炭负载硅纳米线，球磨粉碎得到活性炭负载硅纳米粉体；（2）按照如下重量份配料:上述活性炭负载硅纳米粉体 11-13份正硅酸乙酯 2-5份氟硅酸钠 6-9份聚羟基乙酸 1-1.5份聚丙烯 20-24份铋 0.5-1份含氢硅油交联剂 2-4份；（3）按上述组分按比例混合均匀，加热搅拌至混合均匀，将混合物在真空脱泡机中进行脱泡，脱泡时间为5-7h；再将混合物加入模具中进行固化，固化温度为240℃-250℃，固化后冷却至室温，制备得到复合导电封装材料。