[发明专利]一种旱地木槿种子无菌萌发与快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 201711191986.5 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN107896990B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 罗桂芬;陈高;孙卫邦 申请(专利权)人: 中国科学院昆明植物研究所
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01C1/00;A01C1/08;A01G24/15;A01G24/12;A01G17/00
代理公司: 昆明协立知识产权代理事务所(普通合伙) 53108 代理人: 旃习涵
地址: 650201 *** 国省代码: 云南;53
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摘要: 一种旱地木槿Hibiscus aridicola Anthony种子无菌萌发与快速繁殖的方法。以旱地木槿成熟种子为外植体,通过外植体消毒、种子无菌萌发、增殖与生根一系列培养步骤,有效解决了旱地木槿人工繁殖、引种驯化及其在园林园艺景观上的开发利用,同时有效避免野生资源过度利用所造成的自然植株量减少与自然植被区遭受破坏的问题,在开发利用方面具有重要意义。本发明提供的方法,种子20天开始萌发,无菌萌发率60%,繁殖周期30天,增殖系数为5,生根率为98%,移栽成活率95%,极大地提高了旱地木槿的繁殖数量与生长速率,为该物种的引种驯化及园艺开发、保存和规模化生产提供了技术支持。
搜索关键词: 一种 旱地 木槿 种子 无菌 萌发 快速 繁殖 方法
【主权项】:
一种旱地木槿种子无菌萌发与快速繁殖的方法,其特征在于该方法包括外植体选择与消毒、种子无菌萌发培养、增殖与继代培养、壮苗与生根培养、瓶苗移栽步骤,所述外植体选择与消毒是取旱地木槿略泛黄的饱满果实,用1%肥皂水浸泡10分钟,经流水冲洗干净后进行组培常规外植体消毒;所述种子无菌萌发培养是:在种子无菌萌发培养基中暗培养7天后进行光照,光照强度为1000LUX,温度为23~30℃,种子无菌萌发培养基为改良的MS培养基,将NH4NO3 1650mg/L减少为400mg/L,KNO3由1900mg/L减少为450mg/L,不加其他有机物,其余元素不变,20天后,种子开始萌发;所述的增殖与继代培养是在增殖与继代培养基中培养,增殖与继代培养基为MS培养基+0.5mg/L 6‑BA+0.5mg/L IAA+蔗糖30g/L+琼脂5g/L,pH 5.8,培养周期为30天;所述的壮苗与生根培养是在壮苗与生根培养基中培养,壮苗与生根培养基为MS培养基+0.3mg/LNAA+0.3mg/L IAA+蔗糖30g/L+琼脂5g/L,pH5.8,培养周期20天;所述的瓶苗移栽是:将生根瓶苗提前一周置放于大棚炼苗,准备基质,基质为体积比的珍珠岩∶腐殖土∶生红土=1∶2∶3,用800倍多菌灵进行喷施拌土,用塑料膜密封消毒7天,调节pH至5.8,开瓶取苗,洗净基部培养基,移栽,及时喷水并覆盖塑料膜保湿,大棚温度为20~30℃,空气湿度50~60%,基质湿度75~85%。
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