[发明专利]可集成高密度氮氧化硅材料的制备方法及其产品和应用有效
| 申请号： | 201711168680.8 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978512B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张杨波;王志宽;黄磊 | 申请（专利权）人： | 中电科技集团重庆声光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可集成高密度氮氧化硅材料的制备方法及其产品和应用，该方法通过先在有源区硅衬底上注入氮离子，然后进行高温氧化制备氮氧化硅，制得的氮氧化硅介质所形成的MOS电容，击穿电压大于80V、电容密度大于0.39fF/μm2；同时该介质工艺还可用于高可靠抗辐照MOS晶体管栅介质的制作，获得良好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 高密度 氧化 材料 制备 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
1.一种可集成高密度氮氧化硅材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a. MOS电容有源区制备：所述MOS电容有源区制备方法如下：将已完成MOS电容下极板制备的硅片光刻出MOS电容上极板窗口区域，再用二氧化硅腐蚀液腐蚀SiO2至SiO2层腐蚀干净为止，然后用硫酸与双氧水的混合液，在100‑140℃温度下清洗去除光刻胶，最后采用厚氧化层屏蔽；b. 对有源区硅衬底进行氮离子注入；c. 对硅衬底进行清洗；d. 对所述硅衬底进行氮硅高温氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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