[发明专利]一种控制体电位的MRAM芯片有效
| 申请号： | 201711163968.6 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109817253B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种控制体电位的MRAM芯片，包括外部电路和由若干个存储单元组成的存储单元阵列，存储单元阵列通过字线和位线与外部电路连接，每个存储单元由磁性隧道结和NMOS管组成，部分或者全部存储单元被隔离结构分隔且被分隔区域中的NMOS管的体电位能够被独立控制。隔离结构由N阱和深N阱形成。本发明的有益效果：(1)在栅极超压时，体电位的提高保持了更低的V |
||
| 搜索关键词： | 一种 控制 电位 mram 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM芯片，包括外部电路和由若干个存储单元组成的存储单元阵列，所述存储单元阵列通过字线和位线与所述外部电路连接，每个所述存储单元由磁性隧道结和NMOS管组成，其特征在于，部分或者全部所述存储单元被隔离结构分隔且被分隔区域中的所述NMOS管的体电位能够被独立控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711163968.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
