[发明专利]一种控制体电位的MRAM芯片

权利要求书

1.一种MRAM芯片，包括外部电路和由若干个存储单元组成的存储单元阵列，所述存储单元阵列通过字线和位线与所述外部电路连接，每个所述存储单元由磁性隧道结和NMOS管组成，其特征在于，部分或者全部所述存储单元被隔离结构分隔且被分隔区域中的所述NMOS管的体电位能够被独立控制，其中：

所述外部电路包括体电位控制器、读写控制器，所述体电位控制器用于控制所述体电位，所述体电位的调节是动态的，所述体电位控制器连接所述读写控制器并接受读写控制信号，当所述MRAM芯片进行读操作时使用普通模式：体电位置零，关闭的字线电位置零，打开的字线电位置于V_DD，当所述MRAM芯片进行写操作时，打开的字线电位由V_DD提高Δ，同时体电位提高Δ₁，且Δ₁小于或者等于Δ。

2.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述隔离结构由N阱和深N阱组合形成。

3.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，所述外部电路还包括：行地址解码器、列地址解码器、输入输出控制器。

4.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，当所述MRAM芯片进行写操作时，在不利方向上位线电位置零，源极线电位设为能完成写操作所需要的电压；在有利方向上源极线电位从零电位适度提高Δ₂，且Δ₂小于或者等于Δ₁。

5.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，其特征在于，Δ₁的取值范围是0.3～0.6V。

6.根据权利要求1所述的一种MRAM芯片，当MRAM芯片进行写操作时，在不利方向上位线电压V_BL置零，源极线电压V_SL设为能完成写操作所需要的电压V_W2；在有利方向上源极线电压V_SL从零电位上适度提高Δ₂，Δ₂小于或者等于Δ₁，为了减少漏电。