[发明专利]有机薄膜晶体管元件及其制作方法

摘要

一种有机薄膜晶体管元件及其制造方法，有机薄膜晶体管元件包括：基材、漏极、源极、阻障层、有机半导体层、栅介电层以与栅极。源极位于基材上，具有第一立壁。漏极位于基材上，具有面对第一立壁并且彼此隔离的第二立壁。阻障层位于第一立壁和第二立壁之间，且阻障层的顶面宽度，实质等于第一立壁和第二立壁间的距离。有机半导体层，覆盖于源极、漏极和阻障层上。栅介电层位于有机半导体层上。栅极位于栅介电层上，且藉由栅介电层与有机半导体层电性隔离。

主权项

一种有机薄膜晶体管元件，其特征在于，包括：一基材；一源极，位于该基材上，具有一第一立壁；一漏极，位于该基材上，具有一第二立壁面对该第一立壁，并且彼此隔离；一阻障层，位于该第一立壁和该第二立壁之间，且该阻障层具有一顶面宽度，实质等于该第一立壁和该第二立壁间的一距离；一有机半导体层，覆盖于该源极、该漏极和该阻障层上；一栅介电层，位于该有机半导体层上；以及一栅极，位于该栅介电层上，且藉由该栅介电层与该有机半导体层电性隔离。