[发明专利]一种金纳米花修饰电极、制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种金纳米花修饰电极、制备方法及及其应用，与现有技术相比，本发明利用L‑半胱氨酸的诱导作用，在氯金酸溶液中用循环伏安法或者计时电流法，使溶液中的氯金酸离子修饰到电极表面，并且形成形貌均匀的金纳米花，金纳米花有效的增大了电极的表面积，加快了电子转移速率，使修饰电极有很好的检测性能。解决了直接将金修饰到电极表面得到的是金纳米粒子修饰金电极，不能增大电极的有效面积，不能实现对电极的电子转移速率的提高的问题。本发明制备的修饰电极对异烟肼的检测有很好的响应，检测范围宽，检测限低，抗干扰能力和稳定性均良好，在实际样品血清中通过加标回收法，也得到了相对不错的现象，该发明有望用于活体检测。

主权项

一种金纳米花修饰电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)、制备金纳米盘电极；2)、将步骤1)制备的金纳米盘电极置于L‑半胱氨酸溶液中浸泡，晾干，即制得L‑半胱氨酸膜修饰的金纳米电极，记为L‑Cys/AuNEs；3)、将步骤2)制备的L‑Cys/AuNEs置于氯金酸溶液中，用循环伏安法扫描，制得金纳米花修饰电极，记作AuNFs/L‑Cys/AuNEs。