[发明专利]一种高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711156819.7 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946090B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张改妮;任莉君;胡登卫;侯少龙 | 申请（专利权）人： | 宝鸡文理学院 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 强红刚 |
| 地址： | 721000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料及其制备方法。该方法是将二维层状二氧化锰纳米片分散液与三氯化六氨合钴混合后在pH为1～4的酸性条件下进行加热回流，得到钴插层的多孔二氧化锰纳米材料。该方法利用六铵合钴插层离子会失去部分氨分子配体，形成一种强氧化剂，在酸性条件下，原位将部分二氧化锰主体层板氧化为可溶性高锰酸根离子，形成孔洞结构，自身还原为钴离子，得到钴离子插层多孔二氧化锰纳米材料；该方法可调控二氧化锰纳米片层上孔的密度，进而改善电解质离子传输性能；所得材料，其比电容高达322～456F·g‑1，可作为组装高能量密度用超级电容器电极材料；该方法反应条件温和、时间短、原料易得，可操作性强，制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 离子 多孔 氧化锰 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：将二维层状二氧化锰纳米片分散液与三氯化六氨合钴混合后在pH为1～4的酸性条件下进行加热回流，得到钴离子插层的多孔二氧化锰纳米材料。
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