[发明专利]一种高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：将二维层状二氧化锰纳米片分散液与三氯化六氨合钴混合后在pH为1～4的酸性条件下进行加热回流，得到钴离子插层的多孔二氧化锰纳米材料。

2.根据权利要求1所述的高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：将二维层状二氧化锰纳米片分散液与三氯化六氨合钴按二氧化锰：三氯化六氨合钴摩尔比为1∶(15～100)的比例混合并在搅拌条件下反应，得到六氨合钴离子插层的二氧化锰纳米材料分散液，洗涤、重新分散，调节pH为1～4，之后经加热回流、冷却、洗涤、干燥，得到钴离子插层多孔二氧化锰纳米材料。

3.根据权利要求2所述的高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：所述二维层状二氧化锰纳米片分散液与三氯化六氨合钴按二氧化锰：三氯化六氨合钴摩尔比为1∶100的比例混合。

4.根据权利要求2所述的高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：所述二维层状二氧化锰纳米片分散液浓度为2～8mg/mL。

5.根据权利要求2所述的高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：所述加热回流温度为80～100℃，回流时间2～3h。

6.根据权利要求5所述的高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：所述加热回流温度为100℃，回流时间2h。

7.根据权利要求1所述的高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法，其特征在于：所述的二维层状二氧化锰纳米片分散液是将H₂O₂水溶液与四甲基氢氧化铵水溶液混合后加入MnCl₂，常温下搅拌并超声，离心分离得到二维层状二氧化锰纳米片分散液。

8.一种根据权利要求1～7任一项所述高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料的制备方法制备得到的高容量钴离子插层多孔二氧化锰电极材料。