[发明专利]微元件的巨量转移方法

摘要

本发明提供一种微元件的巨量转移方法，包括步骤1)采用整面光敏材料抓取微元件；2)利用微元件作为光刻掩膜版，将光敏材料制作成梯形结构及支撑微柱；3)采用机械力压断支撑微柱，实现所述微元件的巨量转移。本发明采用整面的光敏材料抓取微元件，可以避免微元件抓取对准精度不足的问题；本发明利用微元件作为光刻掩膜版，将光敏材料制作成梯形结构及支撑微柱，有利于微元件的稳定性以及后续分离的简易性；本发明只需要采用机械力压断支撑微柱便可实现微元件的巨量转移，工艺简单，可有效降低工艺成本。

主权项

一种微元件的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括：1)提供一基底，于所述基底表面形成光敏材料层，并在第一温度下对所述光敏材料层进行半固化处理，其中，所述第一温度低于所述光敏材料层的完全固化温度，以保证所述光敏材料层具有粘性；2)提供微元件的阵列，基于所述光敏材料层的表面粘性，将所述微元件的阵列抓取于所述光敏材料层表面；3)以所述微元件作为光掩膜，对所述光敏材料层进行自对准曝光处理及显影处理，使所述光敏材料层分割成多个与所述微元件对应的支撑结构，所述支撑结构包含粘接于所述微元件的第一支撑部及连接所述第一支撑部与所述基底的第二支撑部，且所述第二支撑部的径向宽度小于所述第一支撑部的径向宽度；4)提供一封装基板，所述封装基板表面具有与所述微元件的阵列对应的共晶金属，将所述微元件的阵列与所述共晶金属对准接合并进行共晶处理；以及5)自所述第二支撑部分离所述微元件与所述基底，并去除所述微元件上的光敏材料层，以实现所述微元件的巨量转移。